Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜新型フラッシュＥＥＰＲＯＭ　ＭＯＮＯＳ構造に熱い視線
日経エレクトロニクス　第803号　2001.8.27

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第803号（2001.8.27）
ページ数	1ページ　（全1530字）
形式	PDFファイル形式　（25kb）
雑誌掲載位置	27ページ目

　不揮発性メモリ関連で世界最大の国際会議「Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍｅｍｏｒｙ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐ（ＮＶＳＭＷ）」が，２００１年８月１２日〜１６日に米国カリフォルニア州モントレーで開かれた。今回のＮＶＳＭＷは，景気減速の影響を受けて参加者数こそ約２４０人と前回の約２７０人から若干減少した。しかし，発表された論文数は３６件で前回の約１．５倍に上り，不揮発性メモリの技術開発…