ニュース・レポート〜Ｓａｍｓｕｎｇ社，ＦｅＲＡＭの　セル面積をＤＲＡＭ並みに
日経エレクトロニクス　第799号　2001.7.2

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第799号（2001.7.2）
ページ数	2ページ　（全3321字）
形式	PDFファイル形式　（54kb）
雑誌掲載位置	41〜42ページ目

強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）のセル面積をＤＲＡＭ並みに縮小する技術開発を半導体メーカが加速させている。２００１年６月に開催された半導体技術の国際会議「ＶＬＳＩシンポジウム」では，そうした発表が注目を集めた。　「ＦｅＲＡＭによるＤＲＡＭ置き換えの可能性をここまで徹底追求した発表はこれまで見たことがない」（国内メモリ・メーカの技術者）。この技術者が驚嘆したのは，世界最大手のＤＲＡＭメーカである韓国Ｓａ…