技術速報〜米ＩＢＭ社，ＬＳＩの動作速度が３５％向上するプロセス技術を開発 ２００３年までに製品へ適用
日経エレクトロニクス 第798号 2001.6.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第798号（2001.6.18） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全590字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （26kb） |
| 雑誌掲載位置 | 25ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，ＬＳＩの動作速度を３５％引き上げる可能性があるプロセス技術を開発した。２００３年までに実用化を目指す。２００１年６月１２日〜１４日に京都で開催されたＬＳＩの国際学会「２００１ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で発表した（Ｒｉｍ，Ｋ．ほか，講演番号５Ｂ−４）。 開発した技術は，ＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＳｉ膜の結晶格子をひずませるこ…
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