新製品ニュース〜実装面積を５０％減，高さを３０％減とした　携帯機器向けのｐチャネル型パワーＭＯＳ　ＦＥＴ
日経エレクトロニクス　第791号　2001.3.12

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第791号（2001.3.12）
ページ数	1ページ　（全528字）
形式	PDFファイル形式　（135kb）
雑誌掲載位置	73ページ目

　日立製作所は，実装面積を５０％，高さを３０％低減したｐチャネル型パワーＭＯＳ　ＦＥＴ「ＨＡＴ１０５８Ｃ」を発売した。「ＣＭＦＰＡＫ−６」と呼ぶ同社が独自に開発したパッケージを採用して，実装面積２．０ｍｍ×２．１ｍｍ，高さ０．８ｍｍを実現した。同社従来品のＨＡＴ１０４３ＭはＴＳＯＰ−６封止品で，実装面積が２．８ｍｍ×２．９５ｍｍ，高さが１．１．ｍｍだった。今回の製品は小型，薄型という特徴を生かせる…