新製品ニュース〜＋３Ｖ動作の強誘電体メモリ １００ｋＨｚ動作時の消費電流は７５ｎＡ
日経エレクトロニクス 第790号 2001.2.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第790号（2001.2.26） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全662字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （186kb） |
| 雑誌掲載位置 | 70ページ目 |
米Ｒａｍｔｒｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｒｐ．は，＋３Ｖと低電圧で動作する１６Ｋビット強誘電体メモリ「ＦＭ２４ＣＬ１６」のサンプル出荷を始めた。 携帯型情報通信機器やレーザ・プリンタなどに向けて，ＥＥＰＲＯＭの置き換え用途を想定する。「従来は＋５Ｖが最低動作電圧だった。現在の強誘電体メモリに対する全需要の７５％以上は＋３Ｖ動作の低電圧品である」（Ｒａｍｔｒｏｎ社Ｄｉｒｃｔｏｒ ｏｆ Ｍ…
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