技術速報〜米Ｂａｌｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ社，直径１ｍｍの球面半導体を使った ３次元傾斜計を試作，２００１年末から量産
日経エレクトロニクス 第789号 2001.2.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第789号（2001.2.12） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全585字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （28kb） |
| 雑誌掲載位置 | 26ページ目 |
米Ｂａｌｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｃ．は，直径１ｍｍのＳｉ球面半導体を使った３次元傾斜計の試作に成功した。携帯端末などへの適用を目指す。同社が試作に成功した球面半導体としては，すでに実用化を始めた球状の太陽電池に続く２品種目となる。 まずＳｉ球の表面に多結晶Ｓｉを積層し，次に電極部とシェル（表面層）を形成する。この電極部は３対の電極（３次元に対応）と１枚の共通電極から成る。最後に多結晶…
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