新製品ニュース〜小型でオン抵抗が１００ｍΩ以下の ｐチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第789号 2001.2.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第789号（2001.2.12） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全537字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （171kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75ページ目 |
三洋電機は，ゲート−ソース間電圧＋２．５Ｖにおいてオン抵抗が９８ｍΩのｐチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ「ＭＣＨ６３０５」を発売する。特徴は，外形寸法が２．０ｍｍ×２．１ｍｍ×０．８５ｍｍと小さい６ピンのＭＣＰＨパッケージに封止したこと。小型品では，オン抵抗が１００ｍΩ以下の製品はこれまでになかったという。小型化が進む携帯電話機などへ向ける。 トランジスタのセル面積を従来比３０％まで縮小することで…
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