新製品ニュース〜 ０．２５ｎｍルールのＲＦ ＣＭＯＳで製造する Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ向けＲＦトランシーバＬＳＩ
日経エレクトロニクス 第789号 2001.2.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第789号（2001.2.12） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全679字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （171kb） |
| 雑誌掲載位置 | 72ページ目 |
米Ｓｉｇｎｉａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社は，近距離無線データ通信技術「Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ」用のＲＦトランシーバＬＳＩ「ＳＢＴ５０１０」のサンプル出荷を開始した。台湾ＴＳＭＣが，０．２５ｎｍルールのＲＦ ＣＭＯＳプロセスを使って製造する。特徴は，フィルタ回路やインダクタを，チップ内部に集積したこと。こうしたことで，外付け部品を削減できるとする。 今回のＬＳＩは携帯電話機やノート・パソコン，ディジ…
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