技術速報〜高誘電率ゲート絶縁膜の評価発表が相次いだ２０００　ＩＥＤＭ　米ＩＢＭ社がＡｌ２Ｏ３を使ったゲート長０．０８ｎｍのトランジスタを試作
日経エレクトロニクス　第786号　2001.1.1

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第786号（2001.1.1）
ページ数	1ページ　（全1357字）
形式	PDFファイル形式　（62kb）
雑誌掲載位置	25ページ目

　２０００年１２月１０日〜１３日に米国Ｓａｎ　Ｆｒａｎｃｉｓｃｏで開かれた半導体製造技術の国際学会「２０００　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）」では，２００５年にも先行メーカによる量産が始まる０．０７ｎｍルールの設計に向けた高誘電率のゲート絶縁膜材料（いわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料）の発表に沸いた。これまで３０年間以上にわたってゲート絶縁膜として使…