新製品ニュース〜 ９層すべてがＣｕ配線のセルベースＬＳＩ ゲート長は０．０９５ｎｍ
日経エレクトロニクス 第784号 2000.12.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第784号（2000.12.4） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1261字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （150kb） |
| 雑誌掲載位置 | 59ページ目 |
ＮＥＣは，９層すべてがＣｕ配線のセルベースＬＳＩ「ＣＢ−１３０」の受注を２００１年５月から開始する。ゲート長０．０９５ｎｍ（設計ルールは０．１３ｎｍ）のＣＭＯＳプロセス「ＵＸ５」で製造する。３種類のライブラリを用意 ＣＢ−１３０では，多くのアプリケーションに対応するために，３種類のライブラリ（高速動作向け，高集積向け，低消費電力向け）を用意した。これらのライブラリは一つのチップ上に混載可能。複数…
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