ＮＥＴｓレポート〜テラ・ビット級の 多値メモリ素子に道 富士通が量子ドット・メモリの動作を確認
日経エレクトロニクス 第782号 2000.11.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第782号（2000.11.6） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全3306字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （58kb） |
| 雑誌掲載位置 | 184〜187ページ目 |
メモリ容量がテラ・ビット級の多値メモリに応用可能な，新しいメモリ素子の構造を富士通が開発した。量子ドットと呼ぶ素子を，情報を蓄積するためのフローティング・ゲートとして利用した素子である。量子ドットとは，電子あるいは正孔を３次元すべての方向で自由に動けないように閉じ込めた構造のこと。大きさは１０×１０×１０ｎｍ３程度で，現時点では電荷を閉じ込めることができる最小の素子構造である。この素子構造は，テラ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「4ページ（全3306字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
読者の声〜読者の声 Ｌｅｔｔｅｒｓ
編集後記〜編集後記 Ｅｄｉｔｏｒ’ｓ Ｎｏｔｅ
ＮＥＴｓ特集〜実チップの「ＩＰ」を用いた システムＬＳＩ設計システムを開発
ＮＥＴｓ特集〜アナ−ディジ混載ＬＳＩの現実解 システム・イン・パッケージが実用に
ＮＥＴｓ特別講座〜自動車の電源系が１４Ｖから４２Ｖへ エレクトロニクス化を加速
