新製品ニュース〜携帯電話機向け１６ＭビットＳＲＡＭ互換ＲＡＭ パワー・ダウン時の消費電流は１０ｎＡ
日経エレクトロニクス 第779号 2000.9.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第779号（2000.9.25） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全595字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （172kb） |
| 雑誌掲載位置 | 65ページ目 |
ＮＥＣは，携帯電話機向けの１６ＭビットＳＲＡＭ互換ＲＡＭ「ｎＰＤ４６１６１１２」を発売した。ビット線分割などのアレイ部最適化や電源回路に工夫を加えて，低消費電力化した。通常時の待機電流値は１００ｎＡ，パワー・ダウン・モード時の待機電流値は１０ｎＡと低い。 メモリの大容量化と低コスト化を両立するために，ＤＲＡＭセルと非同期ＳＲＡＭインタフェースを組み合わせた。ＤＲＡＭセルを使うことで，１６Ｍビット…
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