技術速報〜米HP社と米Motorola社,2〜3年後にMRAMを製品化へ まずは携帯端末への応用をねらう
日経エレクトロニクス 第770号 2000.5.22
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第770号(2000.5.22) |
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ページ数 | 1ページ (全616字) |
形式 | PDFファイル形式 (60kb) |
雑誌掲載位置 | 29ページ目 |
米Hewlett−Packard Co.(HP社)と米Motorola Inc.は,研究開発中の不揮発性メモリMRAM(magnetic RAM)について,製品化計画の概要をそれぞれ明らかにした。記憶素子に磁気抵抗効果を示すトンネル接合(TMR:tunneling magnetoresistive)膜を用いるMRAMは,SRAM並みの高速性,DRAM並の高集積度を実現できる可能性がある。しかし,…
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