ニュース・レポート〜米ＩＢＭ，Ｃｕ配線ＬＳＩに ｌｏｗ−ｋ材料を導入，量産へ
日経エレクトロニクス 第768号 2000.4.24
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第768号（2000.4.24） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2938字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （184kb） |
| 雑誌掲載位置 | 39〜40ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，比誘電率が２．６５と低い，いわゆるｌｏｗ−ｋ材料を０．１３ｎｍルールのＣｕ配線ＬＳＩに導入する。サーバや携帯電話機向けのＡＳＩＣ，マイクロプロセサ「Ｐｏｗｅｒ４」などに搭載する予定。２００１年から量産する。 「またもやＩＢＭ社に一番乗りされたことは確か。でも，それほどの驚きはない」（複数の半導体メーカ）。 米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は２０００年４月３日（米国時間），Ｃｕ配線に低誘…
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