技術速報〜強誘電体メモリがいよいよＭビット時代へ突入 富士通と松下電子工業が２０００年末に製品出荷へ
日経エレクトロニクス 第766号 2000.3.27
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第766号（2000.3.27） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全558字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （43kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28ページ目 |
富士通と松下電子工業はそれぞれ，１Ｍビット以上の強誘電体メモリに向けたセル構造を開発した。さらにこの構造を用いて富士通は２０００年１２月から１Ｍビット品の量産出荷を始める。松下電子工業も同時期から製品に採用する。 富士通は，メモリ・セルを現行の２対のトランジスタとキャパシタで構成する方式（２Ｔ２Ｃ方式）から１対の方式（１Ｔ１Ｃ方式）に変えて集積度を２倍に高めた。１Ｔ１Ｃ方式にすると読み出し信号の…
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