解説 不揮発性メモリ〜急展開するＭＲＡＭ開発 先行米国メーカは独走体制へ
日経エレクトロニクス 第766号 2000.3.27
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第766号（2000.3.27） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全7933字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （608kb） |
| 雑誌掲載位置 | 63〜70ページ目 |
読み出し時間３ｎｓ，書き込み時間１０ｎｓ，消費電力は読み出し時にわずか５ｍＷ−−。新不揮発性メモリＭＲＡＭの潜在能力を現実のものとすべく，米国メーカが走り始めた。わずか１年の間に，ランダム・アクセス性の確認からメモリＬＳＩの試作まで，ＭＲＡＭの開発は恐るべきスピードで進んでいる。１９９９年後半に入り米国メーカ３社が，相次いで試作ＭＲＡＭを発表した。これに対して国内メーカの反応は極端に分かれる。ある…
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