技術速報〜住友電気工業が直径約５ｃｍのＧａＮ単結晶基板を開発 表面の結晶欠陥密度は１０４個／ｃｍ２と低い
日経エレクトロニクス 第764号 2000.2.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第764号（2000.2.28） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全567字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （47kb） |
| 雑誌掲載位置 | 27ページ目 |
住友電気工業は，直径約５ｃｍと大きいＧａＮ単結晶基板を開発した。波長４００ｎｍ前後の青紫色半導体レーザの基板材料として２０００年内のサンプル出荷を目指す。同半導体レーザは，ディスク１枚にＨＤＴＶ画質で映画を格納できる次世代ＤＶＤの光源として期待を集めている。現在は，サファイア基板上にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させ，そこにレーザ構造を形成する例がほとんど。しかし，（１）格子定数が約１６％も異なる…
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