ニュース・レポート〜縦型トランジスタや １ＧＨｚの実現技術に注目
日経エレクトロニクス 第760号 2000.1.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第760号（2000.1.3） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全4341字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （161kb） |
| 雑誌掲載位置 | 32〜34ページ目 |
電子デバイス技術の国際会議１９９９ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ９９）で話題を呼んだのは「縦型トランジスタ」。このほか，ＳＯＩやＣｕ配線，ゲート長０．１ｎｍのトランジスタなどが注目を集めた。 ＩＥＤＭ９９で最大の注目を集めたのは「縦型トランジスタ」だった注１）。一般的なＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌ…
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