解説　メモリ〜ＤＲＡＭ代替をねらう　新メモリ「ＭＲＡＭ」
日経エレクトロニクス　第757号　1999.11.15

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第757号（1999.11.15）
ページ数	8ページ　（全9823字）
形式	PDFファイル形式　（142kb）
雑誌掲載位置	49〜56ページ目

米国を中心に，磁気抵抗効果を用いた不揮発性メモリ「ＭＲＡＭ」の開発が勢いづいている。ねらいは，ＤＲＡＭ並みの集積度でＳＲＡＭ並みの高速性をもち，かつ無制限に書き換え可能なメモリを実現すること。「いける。５年以内には量産に持ち込めそうだ」。米国ではこんな声がささやかれ始めている。　１９９９年５月，磁気関連の国際会議「ＩＮＴＥＲＭＡＧ　’９９」で米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．がＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｒａｎ…