新製品ニュース〜耐圧が４０Ｖで オン抵抗が３．５ｍΩと低いパワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第752号 1999.9.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第752号（1999.9.20） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全569字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （209kb） |
| 雑誌掲載位置 | 69ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．（ＩＲ社）は，新しい素子構造を採用したパワーＭＯＳ ＦＥＴ「新低耐圧ＨＥＸＦＥＴパワーＭＯＳ ＦＥＴシリーズ」を発売した。ＩＲ社では，この素子構造を「プレーナ・ストライプ」と呼んでいる。 特徴は，オン抵抗（ＲＤＳ）が低く，アバランシェ定格耐力（Ｅａｓ）が高いことである。オン抵抗は，同社従来品に比べて数分の１，アバランシェ定格耐力は一般的…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全569字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
新製品ニュース〜 ７８０ｎｍと６５５ｎｍの２波長を出力する半導体レーザ， 高周波重畳は不要
新製品ニュース〜従来に比べて質量を２割低減した カーナビ向けダイバシティ・アンテナ
新製品ニュース〜 ０６０３タイプの積層セラミック・コンデンサ， 携帯型電子機器やＶＣＯなどに向ける
新製品ニュース〜半導体パッケージ向けプリント配線基板， 線幅が２５ｎｍの基板を短期間で設計
新製品ニュース〜データを紙ではなく磁気ディスクやＩＣに 記録する工業用記録計
