講座 半導体製造技術〜SOI技術により LSIの消費電力を 1/3に低減
日経エレクトロニクス 第738号 1999.3.8
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第738号(1999.3.8) |
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ページ数 | 7ページ (全8706字) |
形式 | PDFファイル形式 (90kb) |
雑誌掲載位置 | 165〜171ページ目 |
LSIの高速化・低消費電力化技術として,SOI(silicon on insulator)技術が量産用のチップに使われるようになってきた。沖電気工業はSOI技術により,携帯機器向けLSIの低消費電力化を図った。SOI技術の採用により,バルクCMOS技術でLSIを作った場合と比べてCPUコアやSRAMブロックなどの消費電力を1/2〜1/3に低減できた。(本誌) 国内外の半導体メーカが,SOI(sil…
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