新製品ニュース〜　１．８Ｖ駆動時のオン抵抗が最大１６ｍΩと低い　ｐチャネル型パワーＭＯＳ　ＦＥＴ
日経エレクトロニクス　第737号　1999.2.22

　米Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ　Ｉｎｃ．はゲート−ソース間の電圧が−１．８Ｖでオン抵抗が最大１６ｍΩと低いｐチャネル型パワーＭＯＳ　ＦＥＴ「Ｓｉ４４６５ＤＹ」を発売した。低電圧で低オン抵抗を実現するために，ゲート酸化膜の薄膜化とともに膜厚の均一度を高めた。オン抵抗の標準値は１２ｍΩ。いずれもドレイン電流１０Ａでの値。　ゲート−ソース間電圧−２．５Ｖ，ドレイン電流１２Ａにおけるオン抵抗は標準９ｍΩ，最大１１…