ニュース〜　インテル、次世代プロセス技術　０．０９μｍでＳＲＡＭ製造に成功
日経パソコン　第406号　2002.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経パソコン　第406号（2002.4.1）
ページ数	1ページ　（全356字）
形式	PDFファイル形式　（123kb）
雑誌掲載位置	17ページ目

米インテルは３月１２日、次世代の半導体製造技術である０．０９μｍ（９０ｎｍ）プロセスで世界最小のＳＲＡＭの製造に成功したと発表した。製造したのは５２ＭビットのＳＲＡＭチップ。１０９ｍｍ２（平方ミリメートル）の大きさに３億３０００万個のトランジスターを集積した。ＳＲＡＭセルの大きさは１μｍ２（平方マイクロメートル）だ。現在、インテルは主力ＣＰＵを０．１３μｍプロセスで製造している。最新のＰｅｎｔｉｕ…