ニュース〜１ＴＨｚ動作のトランジスター　インテルが製造技術を発表
日経パソコン　第399号　2001.12.10

インテルは１１月２７日、１ＴＨｚ（テラヘルツ）以上の速度で動作するトランジスターの製造技術を発表した。２００５年以降に製品化するマイクロプロセッサーの基礎技術となる。新構造のトランジスターは、絶縁膜として従来の二酸化シリコンとは異なる「高誘電率ゲート絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ）」を使った。漏れ電流が１万分の１に抑えられるという。また、基板となるシリコンの上に酸化膜を作成、オフ状態でのソース・ドレイン間の…