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日経マイクロデバイス 第291号 2009.9.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第291号(2009.9.1) |
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ページ数 | 2ページ (全3845字) |
形式 | PDFファイル形式 (315kb) |
雑誌掲載位置 | 84〜85ページ目 |
米Intel Corp.の45nmプロセスの歩留まりを短期間で向上できた理由を明かしたランキング1位の記事は,LSIの低コスト化を考える上で示唆に富んだ話だ。チップ面積の最小化と歩留まりの最大化は,同時に狙うべきことである。Intelも当然そう考えていた。65nm世代までのセル・レベルのパターンは,曲げる,幅を変えるなど多彩な工夫を駆使して,チップ面積を小さくしたという。ところが,45nm世代で多…
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