Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ダブルＥパターニングが量産に，フラッシュとロジックで夏から
日経マイクロデバイス　第288号　2009.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第288号（2009.6.1）
ページ数	2ページ　（全2482字）
形式	PDFファイル形式　（277kb）
雑誌掲載位置	66〜67ページ目

　ＡｒＦ液浸露光とダブル・パターニングを組み合わせるリソグラフィ技術の量産が，２００９年夏に始まる（図１）。東芝は，３２ｎｍプロセスを使ったＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを２００９年４月にサンプル出荷し，同年７月から量産する。東芝以外のＮＡＮＤ型メーカーも３Ｘｎｍ品を２００９年に量産する。ここには，ダブル・パターニングの一種であるスペーサ・プロセス注１）が一斉に導入される。　一方ロジックＬＳＩでは…