Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜炭素で不揮発性メモリー数原子で記憶素子を作る
日経マイクロデバイス 第284号 2009.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第284号（2009.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全815字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （246kb） |
| 雑誌掲載位置 | 5ページ目 |
次世代の不揮発性メモリーを担う材料として，炭素が急浮上してきた。記憶素子に炭素を使う不揮発性メモリーをドイツＱｉｍｏｎｄａ ＡＧが試作し，低電力かつ高速で動作することを実証した（図１）。このメモリーでは，原理的に数個の原子で記憶素子を構成できる。このため，金属化合物を使うＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）やＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）に比べて高集積化に向く。 カーボン・ナノ…
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