Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜“不揮発性ＳＲＡＭ” チップ面積を増やさず実現
日経マイクロデバイス 第259号 2007.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第259号（2007.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全993字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （138kb） |
| 雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
微細化に伴うＳＲＡＭの消費電力の増大を根本的に解決する技術が登場した。米Ｓｔａｎｆｏｒｄ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙと東芝が共同開発した不揮発性ＳＲＡＭである（図１）。このＳＲＡＭでは，微細化に伴い消費電力を増大させるリーク電流をデータ保持期間中にゼロにできる。電源を切ってもデータを保持できるように構造を改良したことによる。スイッチング素子でデータを保持 このＳＲＡＭは，“０”と“１”のデータを記憶す…
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