Ｉｎｓｉｄｅ　ＬＳＩ〜目指す製造バラつきはポリマー１個分　露光装置からレジストまで対策
日経マイクロデバイス　第255号　2006.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第255号（2006.9.1）
ページ数	7ページ　（全8539字）
形式	PDFファイル形式　（562kb）
雑誌掲載位置	63〜69ページ目

「微細化の限界を決めるのは製造バラつき」−−。このような認識がいよいよ現実のものになってきた。２００７〜２００８年に量産が始まる４５ｎｍ世代の高速ＬＳＩでは，ゲート長の許容バラつきがレジストの最小寸法ともいえるポリマー１個分の大きさになる。このため，露光レンズの温度分布からレジスト・ポリマーの均一性まで幅広い対策が必要になる。装置・材料メーカーがこのような取り組みを強化する一方で，原理的に抑制する…