Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜これぞ究極のメタル配線　Ｓｉ基板内部にナノ細線を埋め込む
日経マイクロデバイス　第245号　2005.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第245号（2005.11.1）
ページ数	1ページ　（全904字）
形式	PDFファイル形式　（142kb）
雑誌掲載位置	3ページ目

　Ｓｉ基板の内部に直径１ｎｍ程度の金属ナノ・ワイヤー（ナノ細線）を形成する。このような配線技術を量子ドット・メモリーなどナノ・デバイス向けに物質・材料研究機構（ＮＩＭＳ）が開発した（図１）。クロス・ポイント構造のメモリーを視野　ナノ・デバイス向け配線技術では，Ｓｉ基板上に金属ナノ・ワイヤーを形成する手法が実証済みである。ただし，この手法には，微細化に伴うリーク電流を防ぎにくいという課題があった。ナ…