Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜液浸ＡｒＦ露光装置の競争が激化 プロセスは材料起因の欠陥が論点
日経マイクロデバイス 第243号 2005.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第243号（2005.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3148字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （231kb） |
| 雑誌掲載位置 | 64〜65ページ目 |
４５ｎｍノード（ｈｐ６５）から本格的な量産導入が始まる液浸ＡｒＦ露光技術を巡り，露光装置メーカー間の競争が激しくなってきた（図１）。ニコンは，この６月末に開口数（ＮＡ）が初めて１を超えるＮＡ１．０７の装置を２００５年第４四半期に出荷すると発表した。その２週間後にはオランダＡＳＭ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ社（ＡＳＭＬ）がＮＡ１．２の装置を２００６年第１四半期に出荷すると宣言した。ニコンは２００６年後…
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