Ｗａｔｃｈｅｒ［Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ］ ウオッチャ〜米国の超高密度基板技術が進展 線幅１０μｍ，高さ２５μｍを実現
日経マイクロデバイス 第243号 2005.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第243号（2005.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全615字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （143kb） |
| 雑誌掲載位置 | 138ページ目 |
米国の超高密度基板の製造技術が大きく進展した。高密度基板メーカーの多くは次世代の技術として，セミアディティブ・プロセスを使う。米Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐ．（ＤＲＣ），米Ｅｎｄｉｃｏｔｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ．（ＥＩＴ），米ＭｉｃｒｏＣｏｎｎｅｘ Ｃｏｒｐ．，独Ｓｉｅｍｅｎｓ ＡＧのＡｃｕｓｏｎ事業部は，２０μｍピッチの回路基板を量産し始め…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全615字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｗａｔｃｈｅｒ［Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ］ ウオッチャ〜台湾・中国 中根レポート 台湾大手液晶・半導体の第２四半期 首位は緩やかな回復示すが ２位は営業赤字
Ｗａｔｃｈｅｒ［Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ］ ウオッチャ〜米ＴＩが６５ｎｍ ＬＳＩの生産計画 社内外の６工場を活用
ＩＰ Ｉｎｎｏｖａｔａｉｏｎ 知財イノベーション〜ユーザー中心の「システムＩＰ」に注目
Ｓｅｍｉｃｏｎ Ｒｅｎａｉｓｓａｎｃｅ 半導体カルチャ変革論〜“グローバル化”の真意を誤解するな
Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ インタビュー〜海外上回るテスト拠点を日本に形成
