Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜米ＩＢＭ，第４世代のＳｉＧｅ技術でチップ製造 遮断周波数は２００ＧＨｚ
日経マイクロデバイス 第243号 2005.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第243号（2005.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全435字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （247kb） |
| 雑誌掲載位置 | 84ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，０．１３μｍ ＳｉＧｅプロセス「８ＨＰ」で製造するチップの受注が可能になったと発表した。今回の８ＨＰは第４世代のＳｉＧｅになり，０．１８μｍの前世代技術「７ＨＰ」に比べて，２倍の性能の回路を実現できるとする。８ＨＰは，モバイル型の民生機器や広帯域無線通信機器，自動車用衝突回避システム向けのＬＳＩやハイエンドＡ−Ｄ／Ｄ−Ａ変換器などを狙う。ｎｐｎトランジスタの遮断周波数ｆＴ…
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