ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜３社共同開発の「Ｃｅｌｌ」のプロセス技術 ＳＯＩとひずみＳｉを駆使 ゲート長は４６ｎｍ
日経マイクロデバイス 第237号 2005.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第237号（2005.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全506字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （51kb） |
| 雑誌掲載位置 | 82ページ目 |
ソニー・グループ，米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．，東芝が共同開発したマイクロプロセサ「Ｃｅｌｌ」に関するプロセス技術の詳細が，「２００５ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ ２００５）」で明らかになった。ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術とひずみＳｉ技術を組み合わせたゲート長４６ｎｍのトランジスタを使う。ＳＯＩ技術は部…
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