ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜「ＣＥＡＴＥＣ ＪＡＰＡＮ ２００４」 松下が強誘電体膜の結晶方位を解析
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全324字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （158kb） |
| 雑誌掲載位置 | 100ページ目 |
松下電器産業は，強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）向けに強誘電体膜の結晶方位を可視化できる解析技術「ＥＢＳＤ」（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂａｃｋ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）を「ＣＥＡＴＥＣ ＪＡＰＡＮ ２００４」に出展した。これは，電子ビーム（ＥＢ）の後方散乱を利用して結晶方位を測定する技術で，結晶方位の違いを色分けして表示する。技術の詳細は２００４年９月の「２００４ ＳＳＤＭ」で発表…
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