Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜米ＩＢＭ，エレクトロマイグレーションをＬＳＩのオンチップ・ヒューズとして活用
日経マイクロデバイス 第231号 2004.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第231号（2004.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1717字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （49kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86ページ目 |
ＬＳＩの不良原因として恐れられていたエレクトロマイグレーション。これまでは，「いかに防ぐか」に関心が集まっていた。それを１８０度転換する技術が米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．から登場した。エレクトロマイグレーションによる断線を制御して，オンチップ・ヒューズとして積極的に活用する。同社はこの技術を「ｅＦＵＳＥ」と名付けた。 同社は，研究室レベルでは数年前にｅＦＵＳＥの有効性を確認していた１），注１）。例えば０…
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