Ｋｅｙ Ｗｏｒｄ〜『フェルミ・レベル・ピニング』
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1103字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （27kb） |
| 雑誌掲載位置 | 11ページ目 |
「フェルミ・レベル・ピニング」が話題になっている。リーク電流を抑えながらトランジスタ性能を上げるには，プロセスの微細化とともにゲート絶縁膜を高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）膜に置き換えることが有効である。 このｈｉｇｈ−ｋ膜で有力な候補となっているのがＨｆＯ２やＨｆＳｉＯＮといったＨｆ系酸化物だが，ゲート電極の多結晶Ｓｉと組み合わせると，その界面の相互作用でトランジスタのしきい電圧がシフトし，性能を劣化…
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