Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜次世代ｌｏｗ−ｋ膜の　課題解決狙う技術が続出
日経マイクロデバイス　第229号　2004.7.1

　６５ｎｍ（ｈｐ９０）〜４５ｎｍ（ｈｐ６５）ノード向けに開発が進んでいる低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜の課題解決に向けた技術が続出している。一般に６５ｎｍノード以降では，配線の実効的な比誘電率は３以下にする必要があり，ｌｏｗ−ｋ膜自体の比誘電率は２．５以下にすることが求められる（図１）。そのための最有力候補は，量産で使われているＳｉＯＣ系ｌｏｗ−ｋ膜を多孔質化（ポーラス化）する手法である。しかし，ｌｏｗ…