Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜次はＦ２液浸かＥＵＶか？　３２ｎｍの露光技術で開発競争
日経マイクロデバイス　第228号　2004.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第228号（2004.6.1）
ページ数	1ページ　（全1399字）
形式	PDFファイル形式　（43kb）
雑誌掲載位置	86ページ目

　４５ｎｍノード（ｈｐ６５）へのＡｒＦ液浸露光技術の適用が確実になり，今度は３２ｎｍノード（ｈｐ４５）向け露光技術の開発に拍車がかかっている。　３２ｎｍ向けの有力候補は，露光波長１５７ｎｍ　のＦ２液浸技術と１３．４ｎｍ　のＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ　　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）技術である（図１）。半導体メーカーからは，ＥＵＶよりＦ２の方が，露光装置，マスクなど大幅な変更がないため採用しやすい注１）。ただ…