ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜米ＭｏＳｙｓの「１Ｔ−ＳＲＡＭ−Ｑ」 台湾ＵＭＣの１３０ｎｍプロセスで動作を確認
日経マイクロデバイス 第227号 2004.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第227号（2004.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全288字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （107kb） |
| 雑誌掲載位置 | 99ページ目 |
米ＭｏＳｙｓ， Ｉｎｃ．は，同社の混載メモリー技術「１Ｔ−ＳＲＡＭ−Ｑ」が台湾Ｕｎｉｔｅｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．（ＵＭＣ）の１３０ｎｍ標準ロジック・プロセスで製造して動作することを確認したと発表した。１Ｔ−ＳＲＡＭ−Ｑは，一般的な６トランジスタ構成のＳＲＡＭに比べてセル面積を１／４にできるメモリーＩＰ（ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ）である。ＳＴＩ（ｓｈａｌｌ…
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