ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜２ビット／セルのＳｉ微結晶セルを 東大が開発
日経マイクロデバイス 第227号 2004.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第227号（2004.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全248字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （107kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98ページ目 |
東京大学生産技術研究所は，Ｓｉ微結晶（ナノクリスタル）を使った２ビット／セルのフラッシュ・メモリーを開発した。一般にフラッシュ・セルは，浮遊ゲートを酸化膜で構成しているが，今回のセルではＳｉ微結晶に置き換えている。開発したセルは，複数のＳｉ微結晶をソースとドレインの間に設けているため，ソース側とドレイン側に対して独立に電子を注入できる。開発した同大学教授の平本俊郎氏らは，ｈｐ１３０ｎｍプロセスの…
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