Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜１Ｔビット／インチ２のメモリー 強誘電体のプローブ記録で実現
日経マイクロデバイス 第227号 2004.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第227号（2004.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1013字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （32kb） |
| 雑誌掲載位置 | 19ページ目 |
１Ｔビット／インチ２の高密度メモリーの実用化を大きく前進させる研究成果を，東北大学とパイオニアが共同で発表した。 このメモリー技術は強誘電体薄膜を使い，その分極の向きでデータを記録する（図１）。ハード・ディスク装置（ＨＤＤ）と同様に，プローブを記録媒体表面を移動させて記録・再生する。プローブの本数を数百以上にして並列に記録・再生し，高速化する。強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）と異なり，メモリー・セ…
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