ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜次世代超高速「ＸＤＲ−ＤＲＡＭ」を 韓国Ｓａｍｓｕｎｇが開発
日経マイクロデバイス 第226号 2004.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第226号（2004.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全325字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （126kb） |
| 雑誌掲載位置 | 97ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が次世代超高速ＤＲＡＭ製品である「ＸＤＲ−（ｅＸｔｒｅｍｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ）ＤＲＡＭ」を開発した。ＸＤＲ−ＤＲＡＭは従来の「ラムバスＤＲＡＭ」の系統を引き継ぐ次世代製品である。１秒当たり３．２Ｇビットの速度で動作する最速のＤＲＡＭ製品で，汎用のラムバスＤＲＡＭに対し４倍，ＤＤＲ４００に対し８倍速いという。新製品はＦｌｅｘＰｈａｓｅ…
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