ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜米ＭｏＳｙｓと富士通のライセンス契約 標準的なプロセスで製造できる点を評価
日経マイクロデバイス 第225号 2004.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第225号（2004.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全288字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （124kb） |
| 雑誌掲載位置 | 135ページ目 |
米ＭｏＳｙｓ， Ｉｎｃ．と富士通は，技術ライセンス契約を締結した。富士通がＭｏＳｙｓの大容量組込みメモリー技術「１Ｔ−ＳＲＡＭ−Ｑ」を利用した組込みメモリーを，富士通の０．１３μｍロジック・プロセスで設計・製造できるようになる。富士通はデジタル・カメラやデジタル・ビデオ・カメラなどの民生機器向けＬＳＩに利用する。そこでＤＲＡＭ混載技術ではなく，１Ｔ−ＳＲＡＭ−Ｑを採用したのは，標準的なロジック・…
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