Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜Ｓａｍｓｕｎｇ，フラッシュでＮｏ．１宣言 次は携帯電話の「全ＮＡＮＤ化」狙う
日経マイクロデバイス 第225号 2004.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第225号（2004.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全9404字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （213kb） |
| 雑誌掲載位置 | 67〜76ページ目 |
Ｊｏｎ ＫａｎｇＳｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｍａｒｋｅｔｉｎｇ ＆ ＱＡ米Ｓａｍｓｕｎｇ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ，Ｉｎｃ．韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は，ＮＯＲ型とＮＡＮＤ型を合わせたフラッシュ・メモリー市場で，トップに立ったと宣言した。同社が主に開発しているＮＡＮＤ型の市場急成長による。今後は，…
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