Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜低温ｐ−Ｓｉ ＴＦＴの大画面化の限界を打破 新型レーザー・アニール装置
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号（2003.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全335字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （112kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86ページ目 |
低温多結晶Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴ液晶パネルの大画面化を可能にするレーザー・アニール装置を，アルバックが開発した。従来，低温ｐ−Ｓｉのプロセスでは結晶化の工程で使うレーザー・アニール装置の対応パネル寸法に限界があった。その対応パネル寸法はレーザー・ビームの長さによって決まり，現状では２２型が大画面化の上限になっている。今回アルバックが開発したレーザー・アニール装置は，その対応パネル寸法がレーザー・…
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