Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜米ＴＩのプロセス責任者 ＦｅＲＡＭ技術は「プリコンペティティブ」
日経マイクロデバイス 第218号 2003.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第218号（2003.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全303字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （96kb） |
| 雑誌掲載位置 | 103ページ目 |
半導体デバイス・プロセス技術の国際会議「２００３ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」に出席するために，米Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．（ＴＩ）のトータル・プロセスの責任者であるＰ． Ｒｉｃｋｅｒｔ氏が来日，本誌のインタビューに答えた。この中で同氏は，ＴＩが積極的に取り組んでいる強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）に関し，この技術が現段階ではプリコンペティティブであ…
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