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日経マイクロデバイス　第207号　2002.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第207号（2002.9.1）
ページ数	3ページ　（全2935字）
形式	PDFファイル形式　（145kb）
雑誌掲載位置	121〜123ページ目

パッケージ■レーザー・ダイシング装置　厚さ５０μｍ以下の薄型Ｓｉウエーハを３００ｍｍ／秒の高速で切断できるレーザー・ダイシング装置。ＬＳＩを積層したり，ＩＣカードに封入したりするために，チップの薄型化への要求が高まっている。この際に課題になるのがウエーハの切断技術である。ダイヤモンド・ブレードを使う従来法では，厚さ５０μｍまでが限界だった。しかも，割れや欠けを防ぐために切断速度を１００ｍｍ／秒以下…