μレポート［ＬＳＩ製造］〜ＲＦデバイスや強誘電体 メモリーの開発効率を 向上する技術が多数登場
日経マイクロデバイス 第188号 2001.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第188号（2001.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1837字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （28kb） |
| 雑誌掲載位置 | 167ページ目 |
評価ＴＥＧ分析技術切実さを増すＲＦデバイスや強誘電体メモリーの開発効率を向上するための評価技術が，２００１年３月２０日〜２２日に神戸で開かれるＴＥＧ（ｔｅｓｔ ｅｌｅｍｅｎｔ ｇｒｏｕｐ）に関する国際会議「ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｅｓｔ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ （ＩＣＭＴＳ ２００１）」の見どころになる。これらの技術が，ＬＳ…
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