連載［マニュファクチャリング］　寄稿〜強誘電体，高誘電率膜を徹底利用へ　ＬＳＩの付加価値高める基盤技術
日経マイクロデバイス　第184号　2000.10.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第184号（2000.10.1）
ページ数	4ページ　（全4228字）
形式	PDFファイル形式　（109kb）
雑誌掲載位置	170〜173ページ目

製造装置工場材料強誘電体，高誘電率の材料を確実に使いこなし，ＬＳＩの付加価値を高める。新しい製造技術体系を提案する東北大学大見研究室は，実現に向け新しい基盤技術を提案する。成膜時に１原子層目から完全に制御するためにガスを瞬時に切換・置換できる高精度ガス供給排気システムである。また新生産方式に対応し，低コストで設置・運転できる省エネ環境対応型クリーン・ルームを説明する。１回目（２０００年８月号，ｐｐ…